随着内存市场逐渐恢复,三星和SK海力士等存储器巨头预计将在明年大幅扩大设备投资。

  三星电子计划将投资规模扩大25%,SK海力士计划将投资规模扩大到今年的2倍以上,同时两家公司还计划增加生产能力。

  增加投资和产能

  据韩国媒体ETNEWS报道,三星和SK海力士都计划在2024年增加半导体设备投资。三星电子预计投资27万亿韩元(约207.8亿美元),较今年增长25%;而SK海力士计划投资5.3万亿韩元(约40.7亿美元),比今年增加100%。

  除了增加半导体设备投资外,三星电子和SK海力士也提高了2024年的产能目标。三星电子计划将DRAM和NAND闪存的产量增加约24%,而SK海力士的目标是将DRAM产量恢复到2022年底的水平。

  从市场份额来看,根据TrendForce发布的数据,就今年第三季度收入数据而言,三星在DRAM市场的份额约为38.9%,而SK海力士的市场份额为34.3%;在NAND领域,三星电子的市场占有率为31.4%,SK海力士为20.2%。

  DRAM和NAND市场由于长期供过于求,主要制造商去年起都采取了减产的方式,这种情况直到近期才有所缓解。

  业界普遍认为,未来一些与人工智能相关的应用将需要大容量内存支持。例如,根据TrendForce的报告,预计明年全球智能手机出货量将增长3%,这将有助于扩大高价值内存市场的需求。

  同时,TrendForce指出,最近有关内存制造商扩大投资和提高产能的消息主要是受HBM市场需求增长的驱动,而不是所有产品的产能扩张。

  不过,在内存价格反弹的情况下,两家韩国企业的大规模投资计划,还是令部分市场人士感到担忧。业界认为,提高产能利用率不是一个瞬间完成的过程,存储器产业可能面临新的挑战。